Það eru tvær helstu gerðir af DMOS, lóðrétt tvöfaldur dreifður málmoxíð hálfleiðari sviðsáhrif transistor VDMOSFET (lóðrétt tvöfaldur dreifður MOSFET) og hliðar tvískiptur málmoxíð hálfleiðari sviðáhrif smári LDMOSFET (hliðar tvöfaldur mismunaður MOSFET). LDMOS er víða tekið upp því það er auðveldara að vera samhæft við CMOS tækni. LDMOS
LDMOS (útbreiddur málmoxíð hálfleiðari)
LDMOS er aflbúnaður með tvöfalda dreifða uppbyggingu. Þessi tækni er að ígræða tvisvar á sama uppsprettu/frárennslissvæði, eina ígræðslu arsenik (As) með stærri styrk (dæmigerður ígræðsluskammtur 1015cm-2) og aðra ígræðslu bórs (með minni styrk (dæmigerður ígræðsluskammtur af 1013cm-2)). B). Eftir ígræðslu fer fram háhitaframleiðsluferli. Þar sem bór dreifist hraðar en arsen mun það dreifast lengra með hliðarstefnu undir hliðarmörkunum (P-hola á myndinni), mynda rás með styrkleika halla og rásarlengd hennar Ákvarðað af mismuninum á milli hliðar dreifingarvegalengdanna . Til að auka niðurbrotsspennu er svifsvæði milli virka svæðisins og frárennslisvæðisins. Rekksvæðið í LDMOS er lykillinn að hönnun þessarar tækjabúnaðar. Óhreinleikastyrkur á rekasvæði er tiltölulega lítill. Þess vegna, þegar LDMOS er tengt við háspennu, getur svifsvæðið þolað hærri spennu vegna mikillar mótstöðu. Fjölkristölluðu LDMOS sem sýnt er á mynd 1 nær til súrefnisins á svifsvæðinu og virkar sem sviðsplata, sem mun veikja yfirborð rafsviðsins á svifsvæðinu og hjálpa til við að auka niðurbrotsspennuna. Stærð túnplötunnar er nátengd lengd vallarplötunnar [6]. Til að gera svæðisplötuna fullkomlega hagnýta verður að hanna þykkt SiO2 lagsins og í öðru lagi verður lengd svæðisplötunnar að vera hönnuð.
LDMOS tækið er með hvarfefni og upprunasvæði og frárennslissvæði myndast í undirlaginu. Einangrunarlag er til staðar á hluta undirlagsins milli uppsprettu og frárennslissvæða til að veita slétt viðmót milli einangrunarlagsins og yfirborðs undirlagsins. Síðan myndast einangrandi hluti á hluta einangrunarlagsins og hliðslag myndast á hluta einangrunarhlutans og einangrunarlagsins. Með því að nota þessa uppbyggingu er komist að því að það er beinn straumur sem getur dregið úr mótstöðu en viðhaldið mikilli niðurbrotsspennu.
Það er tvennt sem er aðalmunurinn á LDMOS og venjulegum MOS smára: 1. Það samþykkir LDD uppbyggingu (eða kallað svifsvæði); 2. Rásinni er stjórnað af hliðarmótdýpt tveggja dreifinga.
1. Kostir LDMOS
• Framúrskarandi skilvirkni, sem getur dregið úr orkunotkun og kælikostnaði
• Frábær línuleiki, sem getur lágmarkað þörfina fyrir leiðréttingu merkja
• Fínstilltu ofurlágt hitauppstreymi, sem getur dregið úr magnara magni og kælingarkröfum og bætt áreiðanleika
• Framúrskarandi hámarksaflsgeta, hár 3G gagnahraði með lágmarks gagna villutíðni
• Mikill aflþéttleiki, með því að nota færri smára pakka
• Ofurlítil hvatvísi, endurgjaldsrýmd og strenghlerun viðnám, sem gerir LDMOS smárum kleift að veita 7 bB aukningu á tvískautum tækjum
• Bein jarðtenging bætir aflaukningu og útilokar þörfina fyrir BeO eða AIN einangrunarefni
• Mikil aflhækkun á GHz tíðni, sem leiðir til færri hönnunarþrepa, einfaldari og hagkvæmari hönnun (með litlum tilkostnaði, litlum afldrifum smári)
• Framúrskarandi stöðugleiki vegna neikvæðs hitastigs stöðugrar afrennslisstraums, þannig að það hefur ekki áhrif á hitatap
• Það þolir hærra álag ósamræmi (VSWR) betur en tvískiptur burðarefni og bætir áreiðanleika vettvangsforrita
• Framúrskarandi RF stöðugleiki, með innbyggðu einangrunarlagi á milli hliðsins og frárennslis, sem getur dregið úr endurgjöfarrýmdinni
• Mjög góður áreiðanleiki á milli tíma milli bilana (MTTF)
2. Helstu gallar LDMOS
1) Lítil aflþéttleiki;
2) Það skemmist auðveldlega vegna kyrrstöðu rafmagns. Þegar framleiðsla er svipuð er flatarmál LDMOS tækisins stærra en tvískautrar gerðar. Þannig er fjöldi deyja á einni plötu minni sem gerir kostnað við MOSFET (LDMOS) tæki hærri. Stærra svæðið takmarkar einnig hámarks áhrifaríkan kraft tiltekins pakka. Stöðuga rafmagnið getur venjulega verið allt að nokkur hundruð volt, sem getur skemmt hlið LDMOS tækisins frá upptökum að rásinni, svo að truflanir á truflunum eru nauðsynlegar.
Í stuttu máli eru LDMOS tæki sérstaklega hentug fyrir forrit sem krefjast breitt tíðnisviðs, mikillar línuleika og mikilla kröfur um líftíma eins og CDMA, W-CDMA, TETRA og stafrænt landssjónvarp.
önnur varan okkar:
